The present invention relates to a dual bit nonvolatile programmable read/write memory containing a semiconductor memory element having one conductivity type semiconductor substrate including at least one convex portion. A pair of opposite conductivity source/drain regions are formed on a surface of the semiconductor substrate an opposing sides of the convex portion, and a first insulating film covers the upper surface of the convex portion. Second insulating films cover the side surfaces of the convex portion and the source/drain regions. A pair of floating gates abut opposing side surfaces of the convex portion and the source/drain regions through the second insulating films. Third insulating films are formed on the floating gates. A control gate covers the upper surface of the convex portion through the first insulating film and the floating gates through the third insulating films.

Η παρούσα εφεύρεση αφορά μια διπλή αμετάβλητη προγραμματίσημη ανάγνωση-γραφής μνήμη κομματιών που περιλαμβάνει ένα στοιχείο μνήμης ημιαγωγών που έχει ένα υπόστρωμα ημιαγωγών τύπων αγωγιμότητας συμπεριλαμβανομένης τουλάχιστον μιας κυρτής μερίδας. Ένα ζευγάρι των αντίθετων περιοχών πηγής/αγωγών αγωγιμότητας διαμορφώνεται σε μια επιφάνεια του υποστρώματος ημιαγωγών τις αντιτιθέμενες πλευρές της κυρτής μερίδας, και μια πρώτη μονώνοντας ταινία καλύπτει την ανώτερη επιφάνεια της κυρτής μερίδας. Οι δεύτερες μονώνοντας ταινίες καλύπτουν τις δευτερεύουσες επιφάνειες της κυρτής μερίδας και των περιοχών πηγής/αγωγών. Ένα ζευγάρι των επιπλεουσών πυλών καταλήγει τις αντιτιθέμενες δευτερεύουσες επιφάνειες της κυρτής μερίδας και τις περιοχές πηγής/αγωγών μέσω των δεύτερων μονώνοντας ταινιών. Οι τρίτες μονώνοντας ταινίες διαμορφώνονται στις επιπλέουσες πύλες. Μια πύλη ελέγχου καλύπτει την ανώτερη επιφάνεια της κυρτής μερίδας μέσω της πρώτης μονώνοντας ταινίας και των επιπλεουσών πυλών μέσω των τρίτων μονώνοντας ταινιών.