A sealing dielectric layer is applied between a porous dielectric layer and a metal diffusion barrier layer. The sealing dielectric layer closes the pores on the surface and sidewalls of the porous dielectric layer. This invention allows the use of a thin metal diffusion barrier layer without creating pinholes in the metal diffusion barrier layer. The sealing dielectric layer is a CVD deposited film having the composition Si.sub.x C.sub.y :H.sub.z.

Слой запечатывания диэлектрический приложен между пористым диэлектрическим слоем и слоем барьера диффузии металла. Слой запечатывания диэлектрический закрывает поры на поверхности и стенках пористого диэлектрического слоя. Этот вымысел позволяет пользу тонкого слоя барьера диффузии металла без создавать pinholes в слое барьера диффузии металла. Слоем запечатывания диэлектрическим будет пленка депозированная cvd имея состав Si.sub.x C.sub.y :H.sub.z.