A beam addressed electrostatically-actuated charge controlled mirror (CCM) with frame time utilization approaching 100% is provided by partially coating the CCM's pixelized beam addressing surface with a material having the opposite electron affinity. Each pixel of the pixelized beam addressing surface has first and second portions that exhibit secondary emission coefficients that are respectively less than and greater than one for the same beam energy. A beam or beams that are capable of subpixel resolution selectively address each pixel's first and second portions to control the amount of charge on the pixelized beam addressing surface and its localized potentials.

Um feixe dirigiu-se ao espelho controlado carga eletrostático-atuado (CCM) com a utilização do tempo do frame que aproxima 100% é fornecido parcialmente revestindo o CCM's pixelized o feixe que dirige-se à superfície com um material que tem a afinidade oposta do elétron. Cada pixel do pixelized o feixe que dirige-se à superfície tem primeiramente e as segundas parcelas que exibem os coeficientes secundários da emissão que são respectivamente menos do que e mais extremamente de um para a mesma energia do feixe. Um feixe ou uns feixes que sejam capazes da definição do subpixel seletivamente dirigem-se a cada parcelas do pixel primeiro e segundo para controlar a quantidade de carga no pixelized o feixe que dirige-se à superfície e a seus potenciais localizados.