Copolymers prepared by radical polymerization of a substituted norbornene monomer and a fluoromethacrylic acid, fluoromethacrylonitrile, or fluoromethacrylate comonomer are provided. The polymers are useful in lithographic phtoresist compositions, particularly chemical amplification resists. In a preferred embodiment, the polymers are substantially transparent to deep ultraviolet (DUV) radiation, i.e., radiation of a wavelength less than 250 nm, including 157 nm, 193 nm and 248 nm radiation, and are thus useful in DUV lithographic photoresist compositions. A process for using the composition to generate resist images on a substrate is also provided, i.e., in the manufacture of integrated circuits or the like.

Сополимеры подготовили радикальной полимерностью замененного мономера norbornene и обеспечен fluoromethacrylic сомономер кислоты, fluoromethacrylonitrile, или fluoromethacrylate. Полимеры полезны в литографских составах phtoresist, определенно химически амплификация сопротивляют. В предпочитаемом воплощении, полимеры существенн прозрачны к глубокой ультрафиолетов (DUV) радиации, т.е., радиация длины волны меньш чем 250 nm, включая 157 nm, 193 nm и радиацию 248 nm, и таким образом полезны в составах фоторезиста DUV литографских. Процесс для использования состава произвести сопротивляет изображениям на субстрате также обеспечен, т.е., в изготовлении интегрированных цепей или подобия.