An RF power device comprising a power transistor fabricated in a first semiconductor chip and a MOSCAP type structure fabricated in a second semiconductor chip. A voltage limiting device is provided for protecting the power transistor from input voltage spikes and is preferably fabricated in the semiconductor chip along with the MOSCAP. Alternatively, the voltage limiting device can be a discrete element fabricated on or adjacent to the capacitor semiconductor chip. By removing the voltage limiting device from the power transistor chip, fabrication and testing of the voltage limiting device is enhanced, and semiconductor area for the power device is increased and aids in flexibility of device fabrication.

Μια συσκευή δύναμης RF περιλαμβάνοντας μια κρυσταλλολυχνία δύναμης που κατασκευάζονται σε ένα πρώτο τσιπ ημιαγωγών και μια δομή τύπων MOSCAP που κατασκευάζεται σε ένα δεύτερο τσιπ ημιαγωγών. Μια τάση που περιορίζει τη συσκευή παρέχεται για την προστασία της κρυσταλλολυχνίας ισχύος από τις ακίδες τάσης εισαγωγής και κατασκευάζεται κατά προτίμηση στο τσιπ ημιαγωγών μαζί με το MOSCAP. Εναλλακτικά, η τάση που περιορίζει τη συσκευή μπορεί να είναι ένα ιδιαίτερο στοιχείο που κατασκευάζεται σε ή δίπλα στο τσιπ ημιαγωγών πυκνωτών. Με την αφαίρεση της τάσης που περιορίζει τη συσκευή από το τσιπ κρυσταλλολυχνιών ισχύος, η επεξεργασία και η δοκιμή της τάσης που περιορίζει τη συσκευή ενισχύονται, και η περιοχή ημιαγωγών για τη συσκευή δύναμης αυξάνεται και ενισχύσεις στην ευελιξία της επεξεργασίας συσκευών.