To specify a failure location in a semiconductor integrated circuit chip in operation, an emission image of a good semiconductor integrated circuit chip and an emission image of a target semiconductor integrated circuit chip to be subjected to failure analysis are detected and compared with each other to analyze a failure. As a test pattern generated by a function tester is supplied to good and defective semiconductor integrated circuit chips, hot electrons are emitted from where the operational semiconductor integrated circuit chip fails and are detected as an emission image by an emission analyzer. Then, an image processing unit performs image processing to subtract an emission image corresponding to the defective semiconductor integrated circuit chip from an emission image corresponding to a good semiconductor integrated circuit chip to extract the emission image of the failure location, which is displayed on a monitor.

Para especificar uma posição da falha em uma microplaqueta do circuito integrado do semicondutor na operação, uma imagem da emissão de uma microplaqueta boa do circuito integrado do semicondutor e uma imagem da emissão de uma microplaqueta do circuito integrado do semicondutor do alvo a ser sujeitada à análise da falha são detectadas e comparadas com se para analisar uma falha. Enquanto um teste padrão de teste gerado por um verificador da função é fornecido às microplaquetas boas e defeituosas do circuito integrado do semicondutor, os elétrons quentes estão emitidos de onde a microplaqueta operacional do circuito integrado do semicondutor falha e detectados como uma imagem da emissão por um analisador da emissão. Então, uma unidade processando de imagem executa processar de imagem para subtrair uma imagem da emissão que corresponde à microplaqueta defeituosa do circuito integrado do semicondutor de uma imagem da emissão que corresponde a uma microplaqueta boa do circuito integrado do semicondutor para extrair a imagem da emissão da posição da falha, que é indicada em um monitor.