A method of depositing a dual layer top clad for an optical waveguide of a
planar lightwave circuit (PLC). The method includes a first step of
providing a high flow rate of a Boron dopant gas for a first top cladding
layer deposition process. Then, a low flow rate of a Boron dopant gas is
provided for a second top cladding layer deposition process. The second
top cladding layer deposition process is performed directly on the first
top cladding layer deposition. The first and second top cladding layer
deposition processes are combined to form a dual layer top clad of the PLC
having a high Boron portion covering a plurality of optical cores and a
low Boron portion covering the first portion. The first top cladding layer
deposition process can comprises three deposition and anneal cycles using
the high flow rate for the Boron dopant gas. The three deposition and
anneal cycles are used to fill gaps between the plurality of optical cores
of the PLC. The second top cladding layer deposition process comprises a
single deposition and anneal cycle using the low flow rate for the Boron
dopant gas. The low Boron portion is configured to cover the high Boron
portion and protect the high Boron portion from corrosion. The Boron
dopant gas can comprise B.sub.2 H.sub.6 or B(OCH.sub.3).sub.3 tetramethyl
borate (TMB). Thus the dual layer top clad process can effectively fill
high aspect ratio gaps between waveguide cores while maintaining good
corrosion resistance.
Un método de depositar un revestido superior de la capa dual para una guía de onda óptica de un circuito planar de la onda luminosa (PLC). El método incluye un primer paso de proporcionar un alto caudal de un gas del dopant del boro para un primer proceso de la deposición de la capa del revestimiento de la tapa. Entonces, un caudal bajo de un gas del dopant del boro se proporciona para un segundo proceso de la deposición de la capa del revestimiento de la tapa. El segundo proceso de la deposición de la capa del revestimiento de la tapa se realiza directamente en la primera deposición de la capa del revestimiento de la tapa. Los primeros y segundos procesos de la deposición de la capa del revestimiento de la tapa se combinan para formar un revestido superior de la capa dual del PLC que tiene una alta porción del boro el cubrir de una pluralidad de corazones ópticos y una porción baja del boro el cubrir de la primera porción. La primera lata del proceso de la deposición de la capa del revestimiento de la tapa abarca tres deposición y recuece ciclos usando el alto caudal para el gas del dopant del boro. Los tres deposición y recuecen ciclos se utilizan llenar boquetes entre la pluralidad de corazones ópticos del PLC. El segundo proceso de la deposición de la capa del revestimiento de la tapa abarca una sola deposición y recuece el ciclo usando el caudal bajo para el gas del dopant del boro. La porción baja del boro se configura para cubrir la alta porción del boro y para proteger la alta porción del boro contra la corrosión. El gas del dopant del boro puede abarcar el borato tetramethyl B.sub.2 H.sub.6 o B(OCH.sub.3).sub.3 (TMB). Así el proceso revestido superior de la capa dual puede llenar con eficacia altos boquetes del cociente de aspecto entre los corazones de la guía de onda mientras que mantiene buena resistencia a la corrosión.
