An apparatus and method for integrating high-speed DRAM in a computer system including guard bands on either side of each data signal path between a memory module and a memory controller on a circuit board. The data signal paths are routed to avoid intermediate contacts, such as perforations in the circuit board for connector pins, while maintaining a target impedance level within a specified tolerance. A connector between the memory module and the memory controller includes contacts that are arranged so that at least every other contact is assigned to a non-data signal. The routing located between the non-data signal pins are assigned to a data signal. Non-data signal paths on the circuit board are routed through the contacts on either side of each data signal path, thereby forming guard bands on either side of the data signal path. An air gap is also positioned on either side of the data signal path.

Un materiale e un metodo per l'integrata del DRAM ad alta velocità in un sistema di elaborazione compreso le fasce della protezione da qualsiasi lato di ogni percorso del segnale di dati fra un modulo di memoria e un regolatore di memoria su un bordo del circuito. I percorsi del segnale di dati sono diretti per evitare i contatti intermedi, quali le perforazioni nel bordo del circuito per i perni di connettore, mentre effettuano un livello di impedenza dell'obiettivo all'interno di una tolleranza specificata. Un connettore fra il modulo di memoria ed il regolatore di memoria include i contatti che sono organizzati in moda da almeno assegnare ogni altro contatto ad un segnale di non-dati. Il percorso situato fra i perni del segnale di non-dati è assegnato ad un segnale di dati. i percorsi del segnale di Non-dati sul bordo del circuito sono diretti attraverso i contatti da qualsiasi lato di ogni percorso del segnale di dati, quindi formando le fasce della protezione da qualsiasi lato del percorso del segnale di dati. Uno spacco di aria inoltre è posizionato da qualsiasi lato del percorso del segnale di dati.