A surface acoustic wave device includes a piezoelectric substrate of a single crystal LiTaO.sub.3 and an electrode pattern provided on a surface of the piezoelectric substrate which forms a resonator having an electrode thickness in a range of about 1% to about 15% of an acoustic wavelength of a surface acoustic wave excited on the surface of the substrate. The piezoelectric substrate has an orientation defined by Euler angles (.lambda., .mu., .theta.), with angle .lambda. in a range from -4.degree. to +4.degree., angle .mu. in a range from about -52.degree. to about -36.degree., and angle .theta. in a range from about (-1.365 .lambda.-4).degree. to (-1.365 .lambda.+4).degree.. Such orientations simultaneously combined with an optimized propagation loss at resonant and anti-resonant frequencies provide for improved performance in RF applications.

Eine akustische Welle Oberflächenvorrichtung schließt ein piezoelektrisches Substrat eines einzelnen Kristalles LiTaO.sub.3 und des Elektrode Musters, das auf einer Oberfläche des piezoelektrischen Substrates bereitgestellt wird mit ein, das einen Resonator bildet, der eine Elektrode Stärke in einer Strecke ungefähr 1% bis ungefähr 15% einer akustischen Wellenlänge einer akustischen Oberflächenwelle hat, die auf der Oberfläche des Substrates aufgeregt wird. Das piezoelektrische Substrat hat eine Lagebestimmung, die durch Euler Winkel definiert wird (lambda., mu., theta.), mit Winkel lambda. in einer Strecke von -4.degree. zu +4.degree. Winkel mu. in einer Strecke von ungefähr -52.degree. zu ungefähr -36.degree. und Winkel theta. in einer Strecke von ungefähr (lambda.-4).degree -1.365. zu (lambda.+4).degree. -1.365. Solche Lagebestimmungen kombinierten gleichzeitig mit einem optimierten Ausbreitungverlust an Resonanz und Parallelresonanzfrequenzen stellen für verbesserte Leistung in den Rf Anwendungen zur Verfügung.