In a nonvolatile semiconductor memory device capable of the storage of multivalued data, fast writing can be realized with high reliability. In such a nonvolatile semiconductor memory device for storing multivalued information in one memory cell by setting a plurality of threshold voltages of data, writing of data having one threshold voltage that is the remotest to an erased state is performed prior to writing of the data having the other threshold voltages (write #1). Writing of the data having the other threshold voltages is then sequentially performed within groups of threshold voltages, starting from the nearer threshold voltage to the erased state within each group. When writing each of the data having the other threshold voltages, writing of the data is performed to a memory cell beginning with those groups having the remoter threshold voltages from the erased state.

Σε μια αμετάβλητη συσκευή μνήμης ημιαγωγών ικανή της αποθήκευσης των multivalued στοιχείων, το γρήγορο γράψιμο μπορεί να πραγματοποιηθεί με την υψηλή αξιοπιστία. Σε μια τέτοια αμετάβλητη συσκευή μνήμης ημιαγωγών για τις multivalued πληροφορίες σε ένα κύτταρο μνήμης με τον καθορισμό μιας πολλαπλότητας των τάσεων αισθητηριακών ουδών των στοιχείων, το γράψιμο των στοιχείων που έχουν μια τάση αισθητηριακών ουδών που είναι η πιό μακρινή σε ένα σβημένο κράτος εκτελείται πριν από το γράψιμο των στοιχείων που έχουν τις άλλες τάσεις αισθητηριακών ουδών (γράψτε # 1). Το γράψιμο των στοιχείων που έχουν τις άλλες τάσεις κατώτατων ορίων έπειτα διαδοχικά εκτελείται μέσα στις ομάδες τάσεων κατώτατων ορίων, που αρχίζουν από την κοντινότερη τάση κατώτατων ορίων στο σβημένο κράτος μέσα σε κάθε ομάδα. Κατά γράψιμο κάθε ενός από τα στοιχεία που έχουν τις άλλες τάσεις αισθητηριακών ουδών, τη γράψιμο των στοιχείων εκτελείται σε ένα κύτταρο μνήμης αρχίζοντας με εκείνες τις ομάδες που έχουν τις πιό μακρινές τάσεις αισθητηριακών ουδών από το σβημένο κράτος.