An Indium/Gallium/Arsenide (InGaAs) detector having avalanche photodiodes (APD's) and p-i-n photodiodes on a single chip is provided. A method of fabricating the InGaAs device is also provided. The bias on the APD and p-i-n photodiodes are separately controlled.

Обеспечен детектор Indium/Gallium/Arsenide (InGaAs) имея фотодиоды лавины (APD's) и фотодиоды штыря на одиночном обломоке. Метод изготовлять приспособление InGaAs также обеспечен. Смещение на фотодиодах APD и штыря отдельно управляется.