Disclosed is an electronic device having a multilayered structure consisting of (a) a substrate, (b) an electroconductive layer of lanthanum nickel oxide LaNiO.sub.3 having a perovskite structure formed on the substrate surface and (c) a dielectric layer of PZT having an oriented perovskite structure formed on the electroconductive layer. The device exhibits excellent piezoelectric effect under mechanical stress and stable hysteresis phenomenon of electric polarization under application of electric fields so that the device is useful as a stress sensor and as a memory device. A method for the preparation of the multilayered device is disclosed.

É divulgado um dispositivo eletrônico que tem uma estrutura multilayered consistir (a) em uma carcaça, (b) um a camada electroconductive do óxido LaNiO.sub.3 niquelar do lanthanum ter uma estrutura do perovskite deu forma na superfície da carcaça e (c) uma camada dieléctrica de PZT que tem uma estrutura orientada do perovskite deu forma na camada electroconductive. O dispositivo exibe o efeito piezoelectric excelente sob o stress mecânico e o fenômeno estável da histerese do polarization elétrico sob a aplicação de campos elétricos de modo que o dispositivo seja útil como um sensor do stress e como um dispositivo de memória. Um método para a preparação do dispositivo multilayered é divulgado.