A MOSFET and method of fabrication. The MOSFET includes a metal containing source and a metal containing drain; a semiconductor body having a thickness of less than about 15 nm disposed between the source and the drain and on top of an insulating layer, the insulating layer formed on a substrate; a gate electrode disposed over the body and defining a channel interposed between the source and the drain; and a gate dielectric made from a high-K material and separating the gate electrode and the body.

Mosfet en een methode van vervaardiging. Mosfet omvat een metaal bron bevatten en een metaal die afvoerkanaal bevatten; een halfgeleiderlichaam dat een dikte van minder heeft dan ongeveer 15 NM die tussen de bron en het afvoerkanaal en bovenop een het isoleren laag, de het isoleren laag worden geschikt die op een substraat wordt gevormd; een poortelektrode die over het lichaam wordt geschikt en het bepalen van een kanaal voegde tussen de bron en het afvoerkanaal in; en een diëlektrische poort gemaakt van een materiaal hoog-k en het scheiden van de poortelektrode en het lichaam.