A conductive barrier, useful as a ferroelectric capacitor electrode, having high temperature stability has been provided. This conductive barrier permits the use of iridium (Ir) metal in IC processes involving annealing. Separating silicon substrate from Ir film with an intervening, adjacent, tantalum (Ta) film has been found to very effective in suppressing diffusion between layers. The Ir prevents the interdiffusion of oxygen into the silicon during annealing. A Ta or TaN layer prevents the diffusion of Ir into the silicon. This Ir/TaN structure protects the silicon interface so that adhesion, conductance, hillock, and peeling problems are minimized. The use of Ti overlying the Ir/TaN structure also helps prevent hillock formation during annealing. A method of forming a multilayer Ir conductive structure and Ir ferroelectric electrode are also provided.

Une barrière conductrice, utile comme électrode ferroelectric de condensateur, ayant la stabilité à hautes températures a été fournie. Cette barrière conductrice permet l'utilisation du métal (IR) d'iridium dans des processus d'IC comportant le recuit. Séparant le substrat de silicium du film IR avec une intervention, adjacente, le film du tantale (Ta) a été trouvé très à efficace en supprimant la diffusion entre les couches. L'IR empêche l'interdiffusion de l'oxygène dans le silicium pendant le recuit. Une couche de Ta ou de Tan empêche la diffusion d'IR dans le silicium. Cette structure d'Ir/Tan protège l'interface de silicium de sorte que l'adhérence, la conductibilité, le hillock, et l'épluchage des problèmes soient réduits au minimum. L'utilisation du Ti recouvrant les aides de structure d'Ir/Tan également empêchent la formation de hillock pendant le recuit. Une méthode de former une structure conductrice IRE multicouche et l'électrode ferroelectric IRE sont également fournies.