Semiconductor lasers are formed by integrating an electrically pumped semiconductor laser, a beam steering element and a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) together. The electrically pumped semiconductor laser is modulated to modulate a pump beam of photons at a first wavelength. The beam steering element directs the pump beam to the VCSEL to provide optical pumping. The VCSEL receives the pump beam of photons at the first wavelength and is stimulated to emit photons of a laser beam at a second wavelength longer than the first. In embodiments, index guiding is provided in the VCSEL to improve the optical pumping and emission efficiencies when the pump beam is modulated at high frequencies. Embodiments of the beam steering element include a silicon bench, a polymer element, and a facet included in the edge emitting laser and an external mirror. Embodiments of index guiding include an air gap to form a mesa and an oxide confinement ring shaped layer.

Лазеры полупроводника сформированы путем интегрировать электрически нагнетенный лазер полупроводника, элемент управления рулем луча и лазер вертикальной полости поверхностный испуская (VCSEL) совместно. Электрически нагнетенный лазер полупроводника модулируется для модуляции луча насоса фотонов на первой длине волны. Элемент управления рулем луча направляет луч насоса к VCSEL для того чтобы обеспечить оптически нагнетать. VCSEL получает луч насоса фотонов на первой длине волны и простимулировано испустить фотоны лазерныйа луч на вторую длину волны более длиной чем первое. В воплощениях, предусмотрены, что в VCSEL улучшает направлять индекса оптически эффективности нагнетать и излучения когда луч насоса модулируется на высоких частотах. Воплощения элемента управления рулем луча вклюают стенд кремния, элемент полимера, и фасетку включенную в край испуская лазер и внешнее зеркало. Воплощения направлять индекса вклюают зазор воздуха для того чтобы сформировать мезу и слой удерживания окиси сформированный кольцом.