A spin-valve device of a CPP structure which has a high resistance, and which generates a high output signal with low current. The CPP spin-valve device including a spin-valve element having a substrate and a layered structure formed on the substrate. The layered structure includes a first thin film layer of ferromagnetic material, a second thin film layer of ferromagnetic material, and a thin non-magnetic layer structure separating the first and second layers. One of the first and second thin film layers is defined as a free layer and the other layer is defined as a pinned layer, where the free layer has a direction of magnetization that is easier to change than a direction of magnetization of the pinned layer by application of a magnetic field. The non-magnetic layer structure includes a conducting part and insulating part, with the conduction part having an area that is smaller than an area of the free layer. The device further includes a device for producing a current flow through the spin-valve element and a field sensor configured to sense variations in resistance of the spin-valve element due to a difference in rotation of the magnetizations in the free layer and the pinned layer caused by an applied magnetic field.

Een rotatie-klep apparaat van een structuur CPP die een hoge weerstand heeft, en die een hoog outputsignaal met lage stroom produceert. Vormde het rotatie-klep CPP apparaat zich met inbegrip van rotatie-klep een element dat een substraat en een gelaagde structuur heeft op het substraat. De gelaagde structuur omvat een eerste dunne filmlaag van ferromagnetisch materiaal, een tweede dunne filmlaag van ferromagnetisch materiaal, en een dunne niet-magnetische laagstructuur die de eerste en tweede lagen scheidt. Één van de eerste en tweede dunne filmlagen wordt gedefinieerd als vrije laag en de andere laag wordt gedefinieerd als gespelde laag, waar de vrije laag een richting van magnetisering heeft die gemakkelijker is om dan een richting van magnetisering van de gespelde laag door toepassing van een magnetisch veld te veranderen. De niet-magnetische laagstructuur omvat een het leiden deel en isolerend deel, met het geleidingsdeel dat een gebied heeft dat kleiner is dan een gebied van de vrije laag. Het apparaat omvat verder een apparaat om een huidige stroom door rotatie-klep element en een gebiedssensor te veroorzaken die aan betekenisvariaties wordt het gevormd in weerstand van rotatie-klep het element toe te schrijven aan een verschil in omwenteling van de magnetiseringen in de vrije laag en de gespelde laag die door een toegepast magnetisch gebied wordt veroorzaakt.