A method for manufacturing a semiconductor device constituting an JGHT is provided that allows to manufacture the device using an inexpensive wafer and with high yields, and achieves low losses. Specifically, after an emitter electrode is formed, a reverse principal surface is polished to a specified thickness. The center line average height Ra of the polished surface is controlled to be not more than 1 .mu.m, and the filtered center line waviness Wca is kept within 10 .mu.m. The polished surface is selectively cleaned with an aqueous chemical solution to remove particles. To the cleaned surface, phosphorus ions arc implanted for forming a field-stop layer and boron ions are implanted for forming a collector layer. The wafer is then put into a diffusion furnace and annealed at a temperature from 300.degree. C. to 550.degree. C. to form a field-stop layer and a collector layer. Finally, a collector electrode is formed.

Eine Methode für die Produktion eines Halbleiterelements, das ein JGHT festsetzt, ist, vorausgesetzt daß die Vorrichtung mit einer billigen Oblate und mit hohen Ergebnissen herstellen darf, und erzielt niedrige Verluste. Spezifisch nachdem eine Emitterelektrode gebildet ist, wird eine Rückhauptoberfläche zu einer spezifizierten Stärke poliert. Die Mittelachse Durchschnitt Höhe Ra der polierten Oberfläche wird gesteuert, um nicht mehr als 1 mu.m zu sein, und die gefilterte Mittelachse Welligkeit Wca wird innerhalb mu.m 10 gehalten. Die polierte Oberfläche wird selektiv mit einer wäßrigen chemischen Lösung gesäubert, um Partikel zu entfernen. Zur gesäuberten Oberfläche bilden Phosphorionen eingepflanzt für die Formung einer fangen-stop Schicht einen Bogen und Borionen werden für die Formung einer Kollektorschicht eingepflanzt. Die Oblate wird dann in einen Diffusion (Zerstäubung) Ofen gesetzt und getempert bei einer Temperatur von 300.degree. C. zu 550.degree. C., zum einer fangen-stop Schicht zu bilden und ein Kollektor überlagern. Schließlich wird eine Kollektorelektrode gebildet.