The present invention discloses a method of manufacturing a liquid crystal display device, including: providing a substrate; depositing sequentially a first metal layer and a first insulating layer on the substrate; patterning the first metal layer and the first insulating layer using a first mask to form a gate line and a first gate insulating layer; depositing sequentially a second gate insulating layer, a pure semiconductor layer, a doped semiconductor layer and a second metal layer over the whole substrate; patterning the second metal layer using a second mask to form a data line, source and drain electrodes, a capacitor electrode, the capacitor electrode overlapping a portion of the gate line; etching the doped semiconductor layer between the source and drain electrodes to form a channel region; depositing a third insulating layer over the whole substrate; patterning the third insulating layer using a third mask to form a passivation film, the passivation film having a smaller width than the data line and covering the source and drain electrodes and exposing a portion of the drain electrode and the capacitor electrode; depositing a transparent conductive material layer over the whole substrate; and patterning the transparent conductive material layer using a fourth mask to pixel electrode, the pixel electrode contacting the drain electrode.

La actual invención divulga un método de fabricar un dispositivo del indicador de cristal líquido, incluyendo: abastecimiento de un substrato; depositar secuencialmente una primera capa del metal y una primera capa de aislamiento en el substrato; modelar la primera capa del metal y la primera capa de aislamiento usando una primera máscara para formar una línea de la puerta y una primera capa de aislamiento de la puerta; depositar secuencialmente una segunda capa de aislamiento de la puerta, una capa pura del semiconductor, una capa dopada del semiconductor y una segunda capa del metal sobre el substrato entero; modelar la segunda capa del metal usando una segunda máscara para formar una línea de datos, electrodos de la fuente y del dren, un electrodo del condensador, el electrodo del condensador que traslapa una porción de la línea de la puerta; grabar al agua fuerte la capa dopada del semiconductor entre la fuente y los electrodos del dren para formar una región del canal; depositar una tercera capa de aislamiento sobre el substrato entero; modelando la tercera capa de aislamiento usando una tercera máscara para formar una película de la pasivación, la película de la pasivación teniendo una anchura más pequeña que la línea de datos y cubriendo los electrodos de la fuente y del dren y exponiendo una porción del electrodo del dren y del electrodo del condensador; depositar una capa material conductora transparente sobre el substrato entero; y modelando la capa material conductora transparente usando una cuarta máscara al electrodo del pixel, el electrodo del pixel que entra en contacto con el electrodo del dren.

 
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