An integrated semiconductor memory device that can be subjected to a memory cell test in order to determine functional and defective memory cells includes addressable normal memory cells, a first redundancy unit having first addressable redundant memory cells and optically programmable switches for replacing an address of a defective normal memory cell by the address of a first redundant memory cell, and a second redundancy unit having second addressable redundant memory cells and electrically programmable switches for replacing an address of a defective normal memory cell by the address of a second redundant memory cell. The second redundancy unit can be connected by the activation of an irreversibly programmable switch, which enables a simplified functional test at the wafer level.

Eine integrierte Halbleiterspeichervorrichtung, die einem Speicherzelle Test unterworfen werden kann, um Funktions festzustellen und defekte Speicherzellen ansprechbare normale Speicherzellen, eine erste Redundanzmaßeinheit, die erste ansprechbare überflüssige Speicherzellen haben und optisch programmierbare Schalter für das Ersetzen einer Adresse einer defekten normalen Speicherzelle durch die Adresse einer ersten überflüssigen Speicherzelle einschließt und eine zweite Redundanzmaßeinheit, die an zweiter Stelle ansprechbare überflüssige Speicherzellen und elektrisch programmierbare Schalter für das Ersetzen einer Adresse einer defekten normalen Speicherzelle durch die Adresse einer zweiten überflüssigen Speicherzelle hat. Die zweite Redundanzmaßeinheit kann durch die Aktivierung eines irreversibel programmierbaren Schalters angeschlossen werden, der einer vereinfachten Funktionsprüfung auf dem Oblateniveau ermöglicht.