A siloxan polymer insulation film has a dielectric constant of 3.1 or lower and has --SiR.sub.2 O-- repeating structural units with a C atom concentration of 20% or less. The siloxan polymer also has high thermal stability and high humidity-resistance. The siloxan polymer is formed by directly vaporizing a silicon-containing hydrocarbon compound of the formula Si.sub..alpha. O.sub..alpha.-1 R.sub.2.alpha.-.beta.+2 (OC.sub.n H.sub.2n+1).sub..beta. wherein .alpha. is an integer of 1-3, .beta. is 2, n is an integer of 1-3, and R is C.sub.1-6 hydrocarbon attached to Si, and then introducing the vaporized compound with an oxidizing agent to the reaction chamber of the plasma CVD apparatus. The residence time of the source gas is lengthened by reducing the total flow of the reaction gas, in such a way as to form a siloxan polymer film having a micropore porous structure with low dielectric constant.

Un film siloxan d'isolation de polymère a une constante diélectrique de 3.1 ou abaisse et a -- SiR.sub.2 O -- répéter les unités structurales avec une concentration en atome de C de 20% ou moins. Le polymère siloxan a également la stabilité thermique élevée et la humidité-résistance élevée. Le polymère siloxan est constitué en vaporisant directement un composé silicium-contenant d'hydrocarbure de la formule Si.sub..alpha. O.sub..alpha.-1 R.sub.2.alpha.-.beta.+2 (OC.sub.n H.sub.2n+1).sub..beta. où alpha. est un nombre entier de 1-3, beta. est 2, n est un nombre entier de 1-3, et R est l'hydrocarbure C.sub.1-6 attaché au silicium, et puis à présenter le composé vaporisé avec un oxydant à la chambre de réaction de l'appareillage de CVD de plasma. Le temps de séjour du gaz de source est rallongé en réduisant tout le écoulement du gaz de réaction, de façon à former un film siloxan de polymère ayant une structure poreuse de micropore avec la basse constante diélectrique.