A semiconductor device is constructed of at least one indium nitride or indium nitride alloy nanostructure on a substrate or other thing film layer. The method used to create the semiconductor device involves illuminating the substrate with a lateral intensity patterning of ultraviolet light in the presence of at least hydrazoic acid and a compound containing indium gas flows. Additionally, a semiconductor light-emitting/detecting modulating device composed of at least one indium nitride or indium nitride alloy nanostructure. The method used to create the semiconductor light-emitting/detecting modulating device involves embedding at least one nanostructure in the interior layer of the device. Further, a monolithic photovoltaic-photoelectrochemical device where one layer is composed of an indium nitride or indium nitride alloy film or nanostructure.

Un dispositivo de semiconductor se construye nanostructure de la aleación por lo menos de un del indio del nitruro o del nitruro del indio en el substrato o la otra capa de la película de la cosa. El método creaba el dispositivo de semiconductor implica el iluminar del substrato con modelar lateral de la intensidad de la luz ultravioleta en la presencia por lo menos del ácido hydrazoic y un gas compuesto del indio que contiene fluye. Además, un dispositivo de modulación del semiconductor light-emitting/detecting integrado por nanostructure de la aleación por lo menos un del indio del nitruro o del nitruro del indio. El método usado para crear el dispositivo de modulación del semiconductor light-emitting/detecting implica el encajar por lo menos de un nanostructure en la capa interior del dispositivo. Además, un dispositivo photovoltaic-photoelectrochemical-photoelectrochemical monolítico donde una capa se compone de una película o de nanostructure de la aleación del nitruro del indio o del nitruro del indio.