A low-cost, novel electrically erasable programmable read only memory cell
array. The EEPROM memory cell array includes a well of P- type
conductivity. A first well of N-type conductivity resides within the well
of P- type conductivity. A second well of N-type conductivity residing
within the well of P- type conductivity spaced apart from the first well
of N-type conductivity. A plurality of wells of P+ type conductivity
reside within the second well of N-type conductivity. A plurality of
contacts coupling a plurality of bit lines to the plurality of wells of P+
type conductivity. A third well of N-type conductivity resides within the
well of P- type conductivity and is spaced apart from the first well of
N-type conductivity and the second well of N-type conductivity. A single
polysilicon layer disposed over the first well, the second well, and the
third well. This single polysilicon layer defines floating gates for a
plurality of electrically erasable programmable read only memory cells of
the array.
Un peu coûteux, de roman rangée effaçable de cellules seulement de mémoire lue programmable électriquement. La rangée de cellules de mémoire d'EEPROM inclut bien du type conductivité de p. Un premier bien du N-type conductivité réside dans bien du type conductivité de p. Une seconde bien de N-type conductivité résidant dans bien du type conductivité de p espacée indépendamment de la première bien du N-type conductivité. Une pluralité de puits de type conductivité de P+ résident dans la seconde bien du N-type conductivité. Une pluralité de contacts couplant une pluralité de peu raye à la pluralité de puits de type conductivité de P+. Un tiers bien de N-type conductivité réside dans bien du type conductivité de p et est espacé indépendamment du premier bien du N-type conductivité et la seconde bien du N-type conductivité. Une seule couche de polysilicon a bien disposé l'excédent la première, la seconde bien, et le tiers bien. Cette seule couche de polysilicon définit les portes flottantes pour une pluralité de cellules seulement de mémoire lue programmable électriquement effaçables de la rangée.
