A method of forming a minute resist pattern wherein a positive-working photoresist composition containing 3 to 15 parts by weight of a quinone diazide group-containing photosensitizer relative to 100 parts by weight of alkali-soluble novolak resin is developed by an aqueous organic or inorganic alkali solution having a lower alkali concentration than that of the conventional one as the developer. The preferable example of the organic alkali materials in the developer is quaternary ammonium hydroxide, and the preferable example of the inorganic alkali materials in the developer is alkali metal hydroxide. The concentrations of the quaternary ammonium hydroxide and the alkali metal hydroxide in the developing solution are 2.2% by weight or less and 0.4% by weight or less respectively. Using such developing solution, high sensitivity, a high film retention rate, high resolution, low process dependency of dimension accuracy, and a formation of excellent pattern profile can be achieved.

Μια μέθοδος ένα λεπτό αντιστέκεται στο σχέδιο όπου μια photoresist θετικός-εργασίας σύνθεση που περιέχει 3 έως 15 μέρη από το βάρος ομάδα-περιέχοντας photosensitizer diazide κινόνης σχετικά με 100 μέρη από το βάρος της διαλυτοης σε αλκαλικό διάλυμα ρητίνης novolak αναπτύσσεται από μια υδάτινη οργανική ή ανόργανη αλκαλική λύση που έχει μια χαμηλότερη αλκαλική συγκέντρωση από αυτή της συμβατικής ως υπεύθυνο για την ανάπτυξη. Το προτιμητέο παράδειγμα των οργανικών αλκαλικών υλικών στον υπεύθυνο για την ανάπτυξη είναι υδροξείδιο τεσσάρων καταστάσεων αμμωνίου, και το προτιμητέο παράδειγμα των ανόργανων αλκαλικών υλικών στον υπεύθυνο για την ανάπτυξη είναι υδροξείδιο αλκαλικών μετάλλων. Οι συγκεντρώσεις του υδροξειδίου τεσσάρων καταστάσεων αμμωνίου και του υδροξειδίου αλκαλικών μετάλλων στην αναπτυσσόμενη λύση είναι 2,2% από το βάρος ή λιγότερους και 0,4% από το βάρος ή λιγότερο αντίστοιχα. Χρησιμοποιώντας τέτοια αναπτυσσόμενη λύση, η υψηλή ευαισθησία, ένα υψηλό ποσοστό διατήρησης ταινιών, μια υψηλή ανάλυση, μια χαμηλή εξάρτηση διαδικασίας της ακρίβειας διάστασης, και ένας σχηματισμός του άριστου σχεδιαγράμματος σχεδίων μπορούν να επιτευχθούν.