Sputter target, method of manufacture of same and sputter coating process using the target as a sputtering source are disclosed. The sputter target comprises an Me/Si multi-phase, consolidated blend wherein the Si component is present in a very small amount of about trace--0.99 mole Si:1 mole Me. Preferably, Me comprises one or more of Ta, Ti, Mo, or W. The targets are made from the requisite powders via HIP consolidation to provide densities of greater than 98 % of the theoretical density. The targets are especially useful in reactive cathodic sputtering systems employing N.sub.2 as the reactive gas to form amorphous Me/Si/N layers.

Ψεκάστε το στόχο, μέθοδος κατασκευής του ίδιου πράγματος και ψεκάστε τη διαδικασία επιστρώματος χρησιμοποιώντας το στόχο όπως μια πηγή επιμετάλλωσης αποκαλύπτεται. Ψεκάστε το στόχο περιλαμβάνει εγώ/πολυφασικό, παγιωμένο μίγμα Si όπου το τμήμα Si είναι παρόν σε ένα πολύ μικρό ποσό περίπου του ίχνους -- τυφλοπόντικας 0,99 τυφλοπόντικων Si:1 εγώ Κατά προτίμηση, περιλαμβάνω ένα ή περισσότερα από το TA, το Tj, το MO, ή το W. Οι στόχοι γίνονται από τις απαραίτητες σκόνες μέσω της σταθεροποίησης ΙΣΧΙΩΝ για να παρέχουν τις πυκνότητες μεγαλύτερου από 98% της θεωρητικής πυκνότητας. Οι στόχοι είναι ιδιαίτερα χρήσιμοι στα αντιδραστικά καθοδικά ψεκάζοντας συστήματα υιοθετώντας N.sub.2 ως αντιδραστικό για να διαμορφώσουν αέριο τα άμορφα στρώματα Me/Si/N.