This photoelectric conversion device comprises a lower electrode, numerous p-type crystalline semiconductor particles deposited thereon, an insulator formed among the crystalline semiconductor particles, and a n-type semiconductor layer formed on the side of the upper portions of the crystalline semiconductor particles. The insulator is formed of a translucent material, and the surface of the lower electrode has been subjected to roughening treatment. Roughening the surface of the lower electrode allows light incident on the surface of the lower electrode to be scattered and directed to the crystalline semiconductor particles so that the photoelectric conversion efficiency is improved.

Este dispositivo fotoelétrico da conversão compreende um elétrodo mais baixo, um p-tipo numeroso partículas cristalinas do semicondutor depositadas thereon, um isolador dado forma entre as partículas cristalinas do semicondutor, e um n-tipo camada do semicondutor dada forma no lado das parcelas superiores das partículas cristalinas do semicondutor. O isolador é dado forma de um material translúcido, e a superfície do elétrodo mais baixo foi sujeitada ao tratamento tornando áspero. Tornar áspera a superfície do elétrodo mais baixo permite que o incident claro na superfície do elétrodo mais baixo seja dispersado e dirigido às partículas cristalinas do semicondutor de modo que a eficiência fotoelétrica da conversão seja melhorada.