There is provided a dry etching method for forming an insulating layer of SiO.sub.2 or the like in a desired shape with a substantially infinite selection property with respect to Si.sub.3 N.sub.4 used as an etching stopper. As an etching gas a gas (HI, or a gas having a constitution of C.sub.x H.sub.y I.sub.z) containing iodine in a molecule is added. Here, a mixing ratio (I/C) of iodine to carbon in the etching gas is 0.3.ltoreq.(I/C).ltoreq.1.5. Alternatively, instead of the iodine-containing gas the gas containing chlorine or bromine as the same halogen element is used. Since iodine, chlorine, or bromine contained in the etching gas generates a low vapor pressure material on Si.sub.3 N.sub.4, Si.sub.3 N.sub.4 etching is completely prohibited. Since no low vapor pressure material is generated on SiO.sub.2 or SiOF as a material to be etched, a high etching rate can be obtained.

Se proporciona un método seco de la aguafuerte para formar una capa de aislamiento de SiO.sub.2 o de los similares en una forma deseada de una característica substancialmente infinita de la selección con respecto a Si.sub.3 N.sub.4 usado como tapón de la aguafuerte. Mientras que se agrega un gas que graba al agua fuerte un gas (HI, o un gas que tiene una constitución de C.sub.x H.sub.y I.sub.z) conteniendo el yodo en una molécula. Aquí, un cociente que se mezcla (I/C) del yodo al carbón en el gas de la aguafuerte es 0.3.ltoreq.(I/C).ltoreq.1.5. Alternativomente, en vez del gas yodo-que contiene el gas que contiene la clorina o el bromo como el mismo elemento del halógeno se utiliza. Desde el yodo, la clorina, o el bromo contenido en el gas de la aguafuerte genera un material bajo de la presión del vapor en la aguafuerte de Si.sub.3 N.sub.4, de Si.sub.3 N.sub.4 se prohíbe totalmente. Puesto que no se genera ningún material bajo de la presión del vapor en SiO.sub.2 o SiOF mientras que un material que se grabarán al agua fuerte, una alta tarifa de la aguafuerte pueden ser obtenidos.