A method and apparatus for depositing a low dielectric constant film by reaction of an organosilicon compound and an oxidizing gas at a constant RF power level from about 10W to about 200W or a pulsed RF power level from about 20W to about 500W. Dissociation of the oxidizing gas can be increased prior to mixing with the organosilicon compound, preferably within a separate microwave chamber, to assist in controlling the carbon content of the deposited film. The oxidized organosilane or organosiloxane film has good barrier properties for use as a liner or cap layer adjacent other dielectric layers. The oxidized organosilane or organosiloxane film may also be used as an etch stop and an intermetal dielectric layer for fabricating dual damascene structures. The oxidized organosilane or organosiloxane films also provide excellent adhesion between different dielectric layers. A preferred oxidized organosilane film is produced by reaction of methylsilane, CH.sub.3 SiH.sub.3, or dimethylsilane, (CH.sub.3).sub.2 SiH.sub.2, and nitrous oxide, N.sub.2 O, at a constant RF power level from about 10W to about 150W, or a pulsed RF power level from about 20W to about 250W during 10% to 30% of the duty cycle.

Um método e um instrumento para depositar uma película baixa da constante dieléctrica pela reação de um composto do organosilicon e um gás de oxidação em um RF constante power ao nível aproximadamente de 10W aproximadamente a 200W ou de um nível pulsado do poder do RF aproximadamente de 20W aproximadamente a 500W. O dissociation do gás de oxidação pode ser aumentado antes de misturar com o composto do organosilicon, preferivelmente dentro de uma câmara separada da microonda, a ajudar em controlar o índice do carbono da película depositada. A película oxidada do organosilane ou do organosiloxane tem propriedades boas da barreira para o uso como uma camada do forro ou do tampão adjacente outras camadas do dielétrico. A película oxidada do organosilane ou do organosiloxane pode também ser usada como um batente gravura em àgua forte e uma camada dieléctrica intermetal fabricando estruturas damascene duplas. As películas oxidadas do organosilane ou do organosiloxane fornecem também a adesão excelente entre camadas dieléctricas diferentes. Uma película oxidada preferida do organosilane é produzida pela reação do methylsilane, do CH.sub.3 SiH.sub.3, ou do dimethylsilane, (CH.sub.3).sub.2 SiH.sub.2, e óxido nitrous, N.sub.2 O, em um nível constante do poder do RF aproximadamente de 10W aproximadamente a 150W, ou em um nível pulsado do poder do RF aproximadamente de 20W aproximadamente a 250W durante 10% a 30% do ciclo de dever.