A semiconductor device and a method of making the semiconductor device having a composite dielectric layer including steps of providing a semiconductor substrate; depositing on the semiconductor substrate alternating sub-layers of a high-K dielectric material and a dielectric precursor material to form a composite layer having at least two sub-layers of at least one of the high-K dielectric material and the dielectric precursor material. The semiconductor device may be subjected to annealing at an elevated temperature to form a composite dielectric layer from the composite layer.

Ein Halbleiterelement und eine Produktionsmethode das Halbleiterelement, das eine zusammengesetzte dielektrische Schicht einschließlich Schritte des Zur Verfügung stellens eines Halbleitersubstrates hat; Niederlegen auf den Halbleitersubstrat wechselnden Sub-layers eines hohen-K dielektrischen Materials und des dielektrischen Vorläufermaterials, zum einer zusammengesetzten Schicht zu bilden, die an wenigen zwei Sub-layers von an wenigem des hohen-K dielektrischen Materials und des dielektrischen Vorläufermaterials hat. Das Halbleiterelement kann dem Tempern unterworfen werden, bei einer erhöhten Temperatur, zum einer zusammengesetzten dielektrischen Schicht von der zusammengesetzten Schicht zu bilden.