Disclosed is a method of simultaneously supplying trench isolations for array and support areas of a semiconductor substrate made of a substrate material, the method comprising providing a first hard mask layer for the array and support areas, said first hard mask comprising mask openings defining trench isolations in the array and support areas, providing deep array trench isolations in the array areas, providing a blanketing planarized conductive material layer over both support and array areas sufficient to fill said mask openings and deep array trench isolations, etching said conductive material through said first hard mask material down into said semiconductor substrate so as to form support trench isolations, such that both deep array trench isolations and support trench isolations are of equal depth, and wherein a conductive element, comprising a quantity of said conductive material, remains in the bottom of each of said deep array trenches.

Onthuld wordt een methode om geulisolaties voor serie en steungebieden van een halfgeleidersubstraat gelijktijdig te leveren dat van een substraatmateriaal wordt gemaakt, de methode bestaand uit verstrekkend een eerste harde maskerlaag voor de serie en steungebieden, bovengenoemd eerste hard masker bestaand masker uit openingen bepalend geulisolaties op de serie en steungebieden, die de diepe isolaties van de seriegeul in de seriegebieden verstrekken, op voorwaarde dat het bedekken geleidende materiële laag over zowel steun als seriegebieden voldoende planarized om bovengenoemde maskeropeningen en de diepe isolaties van de seriegeul, neer etsend bovengenoemd geleidend materiaal te vullen door bovengenoemd eerste hard maskermateriaal in bovengenoemd halfgeleidersubstraat om de isolaties van de steungeul te vormen, dusdanig dat beide diepe seriegeul of a semiconductor substrate made of a substrate material, the method comprising providing a first hard mask layer for the array and support areas, said first hard mask comprising mask openings defining trench isolations in the array and support areas, providing deep array trench isolations in the array areas, providing a blanketing planarized conductive material layer over both support and array areas sufficient to fill said mask openings and deep array trench isolations, etching said conductive material through said first hard mask material down into said semiconductor substrate so as to form support trench isolations, such that both deep array trench isolations and support trench isolations zijn van gelijke diepte, en waarin een geleidend element, dat uit een hoeveelheid bovengenoemd geleidend materiaal bestaat, op de bodem van elk van bovengenoemde diepe seriegeulen blijft.