A memory controller apparatus and method for automatically detecting whether a particular memory unit location is unpopulated or populated with synchronous dynamic random access memories (DRAMs), or asynchronous fast page (FP) DRAMs or extended data out (EDO) DRAMs are disclosed. Logic in the memory controller detects a memory device type by writing a first data item to the memory device using at least a minimum common asynchronous memory write protocol meeting the write timing requirements of all asynchronous memory device types. An attempt is then made to read the first data from the memory device using a first asynchronous memory read protocol. If the first data is read from the memory device, the memory device is identified as being an asynchronous memory. If the first data is not read from the device, the memory control logic writes a second data item to the memory device using a synchronous memory write protocol. An attempt is then made to read the second data from the memory device using a synchronous memory read protocol. If the second data is read, the memory device is identified as being a synchronous memory device. If the second data is not read, the memory unit is unpopulated. For one embodiment, the memory device type of each bank in a memory array is automatically stored in a configuration register such that a computer system is automatically configured to indicate memory device type.

Ein Gedächtnissteuerpultapparat und -methode für automatisch ermitteln, ob eine bestimmte Gedächtnismaßeinheit Position ist, unpopulated oder bevölkerten mit synchronen dynamischen RAMS (DRAMs), oder asynchrone schnelle Seite (FP) DRAMs, oder verlängerte Daten aus (EDO) DRAMs werden freigegeben. Logik im Gedächtnissteuerpult ermittelt eine Speicherbauelementart, indem sie ein erstes Datenelement zum größtintegrierten Speicherbauelement mit mindestens einem minimalen allgemeinen asynchronen Gedächtnis das Protokoll, zu schreiben schreibt, das den schreibencTiming-Anforderungen aller asynchronen Speicherbauelementarten entspricht. Ein Versuch wird dann, die ersten Daten vom größtintegrierten Speicherbauelement mit einem erstes asynchrones Gedächtnis gelesenen Protokoll zu lesen gebildet. Wenn die ersten Daten vom größtintegrierten Speicherbauelement gelesen werden, wird das größtintegrierte Speicherbauelement als seiend ein asynchrones Gedächtnis gekennzeichnet. Wenn die ersten Daten nicht von der Vorrichtung gelesen werden, schreibt die Gedächtnissteuerlogik ein zweites Datenelement zum größtintegrierten Speicherbauelement, das ein synchrones Gedächtnis verwendet, schreiben Protokoll. Ein Versuch wird dann, die zweiten Daten vom größtintegrierten Speicherbauelement mit einem synchrones Gedächtnis gelesenen Protokoll zu lesen gebildet. Wenn die zweiten Daten gelesen werden, wird das größtintegrierte Speicherbauelement als seiend ein synchrones größtintegriertes Speicherbauelement gekennzeichnet. Wenn die zweiten Daten nicht gelesen werden, ist die Gedächtnismaßeinheit unpopulated. Für eine Verkörperung wird die Speicherbauelementart von jeder Bank in einer Gedächtnisreihe automatisch in einem Konfiguration Register so gespeichert, daß ein Computersystem automatisch zusammengebaut wird, um Speicherbauelementart anzuzeigen.