In a non-volatile memory, the displacement current generated in non-selected word lines that results when the voltage levels on an array's bit lines are changed can result in disturbs. Techniques for reducing these currents are presented. In a first aspect, the number of cells being simultaneously programmed on a word line is reduced. In a non-volatile memory where an array of memory cells is composed of a number of units, and the units are combined into planes that share common word lines, the simultaneous programming of units within the same plane is avoided. Multiple units may be programmed in parallel, but these are arranged to be in separate planes. This is done by selecting the number of units to be programmed in parallel and their order such that all the units programmed together are from distinct planes, by comparing the units to be programmed to see if any are from the same plane, or a combination of these. In a second, complementary aspect, the rate at which the voltage levels on the bit lines are changed is adjustable. By monitoring the frequency of disturbs, or based upon the device's application, the rate at which the bit line drivers change the bit line voltage is adjusted. This can be implemented by setting the rate externally, or by the controller based upon device performance and the amount of data error being generated.

Dans une mémoire non-volatile, le courant de déplacement produit dans le mot non-choisi raye que les résultats quand les niveaux de tension sur les lignes du peu d'une rangée sont changés peuvent résulter dedans dérange. Des techniques pour réduire ces courants sont présentées. Dans un premier aspect, le nombre de cellules étant simultanément programmées sur une ligne de mot est réduit. Dans une mémoire non-volatile où un choix de cellules de mémoire se compose d'un certain nombre d'unités, et les unités sont combinés dans les avions qui partagent les lignes communes de mot, la programmation simultanée des unités dans le même avion est évité. Des unités multiples peuvent être programmées en parallèle, mais ceux-ci sont arrangées pour être dans des avions séparés. Ceci est fait en choisissant le nombre d'unités pour être programmé en parallèle et leur ordre tels que toutes les unités programmées ensemble sont des avions distincts, en comparant les unités à programmer pour voir si en sont du même avion, ou une combinaison de ces derniers. Dans un en second lieu, l'aspect complémentaire, le taux auquel les niveaux de tension sur le peu raye sont changés est réglable. En surveillant la fréquence de trouble, ou basé sur l'application du dispositif, le taux auquel la ligne changement de peu de conducteurs tension secteur peu est ajusté. Ceci peut être mis en application en plaçant le taux extérieurement, ou par le contrôleur basé sur l'exécution de dispositif et la quantité d'erreur de données étant produite.