A silicon wafer characterized in that the laser scattering tomography defect occurrence region accounts for at least 80% of the wafer surface area and that the laser scattering tomography defects have a mean size of not more than 0.1 .mu.m, with the density of those defects which exceed 0.1 .mu.m in size being not more than 1.times.10.sup.5 cm.sup.-3, and wafers derived from this wafer as the raw material by heat treatment for oxide precipitate formation, by heat treatment for denuded layer formation or by epitaxial layer formation on the surface are useful as semiconductor materials.

Une gaufrette de silicium caractérisée en ce que le laser dispersant la région d'occurrence de défaut de tomographie représente au moins 80% de la superficie de gaufrette et cela le laser dispersant des défauts de tomographie ont une taille moyenne de pas plus de 0.1 mu.m, avec la densité de ces défauts qui excèdent 0.1 mu.m dans la taille étant pas plus que 1.times.10.sup.5 cm.sup.-3, et les gaufrettes dérivées de cette gaufrette comme matière première première par traitement thermique pour l'oxyde précipitent la formation, par traitement thermique pour la formation dénudée de couche ou par formation épitaxiale de couche sur la surface soyez utile comme matériaux de semi-conducteur.