A method of fabricating a semiconductor device is outlined in FIG. 3. An ideal (or desired) pattern of a layer of the semiconductor device is designed (305). A first pass corrected pattern is then derived by correcting the ideal patterns for major effects, e.g., aerial image effects (315, 320). A second pass corrected pattern is then derived by correcting the first pass corrected patterns for remaining errors (304). The second pass corrected pattern can be used to build a photomask (345). The photomask can then be used to produce a semiconductor device, such a memory chip or logic chip (350).

Μια μέθοδος μια συσκευή ημιαγωγών περιγράφεται στο σχέδιο 3. Ένα ιδανικό (ή επιθυμητός) σχέδιο ενός στρώματος της συσκευής ημιαγωγών σχεδιάζεται (305). Ένα πρώτο διορθωμένο πέρασμα σχέδιο παράγεται έπειτα με τη διόρθωση των ιδανικών σχεδίων για σημαντικά αποτελέσματα, π.χ., εναέρια αποτελέσματα εικόνας (315, 320). Ένα δεύτερο διορθωμένο πέρασμα σχέδιο παράγεται έπειτα με τη διόρθωση του πρώτου περάσματος διόρθωσε τα σχέδια για την παραμονή λάθη (304). Το δεύτερο διορθωμένο πέρασμα σχέδιο μπορεί να χρησιμοποιηθεί για να χτίσει ένα photomask (345). Το photomask μπορεί έπειτα να χρησιμοποιηθεί για να παραγάγει μια συσκευή ημιαγωγών, ένα τέτοιο τσιπ μνήμης ή το τσιπ λογικής (350).