This invention is related to a method for controlling a threshold voltage of a bottom gate type thin film transistor as follows. Gate electrodes and a gate insulating film are formed on a glass substrate. An amorphous silicon film is formed thereon and then crystallized into a crystalline silicon film. After a buffer layer is formed thereon, an impurity element (selected from Group 13 or Group 15 elements) for a threshold voltage control is added to the crystalline silicon film by ion implantation or ion doping.

Cette invention est liée à une méthode pour commander une tension de seuil d'un type inférieur transistor de porte de la couche mince comme suit. Des électrodes de porte et un film isolant de porte sont formés sur un substrat de verre. Un film amorphe de silicium est formé là-dessus et alors cristallisé dans un film cristallin de silicium. Après qu'une couche d'amortisseur soit formée là-dessus, un élément d'impureté (choisi parmi des éléments de groupe 13 ou de groupe 15) pour une commande de tension de seuil est ajouté au film cristallin de silicium par enduire d'implantation ionique ou d'ion.