An n-type dopant of at least one of elements of Group III such as Ga and the like and a p-type dopant of at least one of elements of Group V such as N and the like are doped to a ZnO crystalline layer as dopants, and the n-type dopant is more than the p-type dopant and doped into the ZnO layer in an impurity concentration of 1.times.10.sup.18 cm.sup.-3 or more. Therefore, it is possible to lower the resistivity of the ZnO layer with a degree of the transparency high and to obtain the transparent conductive film of zinc oxide having the electrical resistivity lower than ITO.

Un n-tipo dopant almeno di uno degli elementi dei gruppi III quali Ga e simili e un p-tipo dopant almeno di uno degli elementi del gruppo V quali N ed i simili è verniciato ad uno strato cristallino di ZnO come dopant ed il n-tipo dopant è più del p-tipo dopant e verniciato nello strato di ZnO in una concentrazione in impurità di 1.times.10.sup.18 cm.sup.-3 o più. Di conseguenza, è possibile abbassare la resistività dello strato di ZnO con un grado dell'acetato alto ed ottenere la pellicola conduttiva trasparente dell'ossido dello zinco che ha la resistività elettrica più bassa di ITO.