A pre-charge and reference voltage technique operates on a DRAM memory array in which two additional rows of reference cells are added to the array. When the array starts the pre-charge cycle, the regular word line and latch P-channel bar signals both turn off and the complementary bit line pair is shorted together. These two lines charge share to create a half way voltage level (VCC/2) that is restored into the reference cell. After this voltage is restored into the reference cell, the bit lines are fully pre-charged to ground.

Une technique de tension de pré-charge et de référence opère une rangée de mémoire de DRACHME dans laquelle deux rangées additionnelles des cellules de référence sont ajoutées à la rangée. Quand la rangée commence le cycle de pré-charge, les signaux réguliers de barre de P-canal de ligne et de verrou de mot s'éteignent et paire de lignes complémentaire peu est court-circuité ensemble. Ces deux lignes part de charge pour créer demi de niveau de tension de manière (VCC/2) qui est reconstitué dans la cellule de référence. Après que cette tension soit reconstituée dans la cellule de référence, les lignes de peu sont entièrement préchargées pour rectifier.