The Mo or MoW composition layer has a low resistivity of less than 15 .mu..OMEGA.cm and is etched to have a smooth taper angle using an Al alloy enchant or a Cr enchant, and the Mo or MoW layer is used for a wiring of a display or a semiconductor display along with an Al layer or a Cr layer. Since the Mo or MoW layer can be deposited so as to give low stress to the substrate by adjusting the deposition pressure, a single MoW layer can be used as a wiring by itself. When contact holes are formed in the passivation layer or the gate insulating layer, a lateral etch is reduced by using polymer layer, an etch gas system using CF.sub.4 +O.sub.2 can prevent the etch of the Mo or MoW alloy layer, and an etch gas of SF.sub.6 +HCl (+He) or SF.sub.6 +Cl.sub.2 (+He) can form the edge profile of contact holes to be smoothed. Also, when an amorphous silicon layer formed under the Mo or MoW layer is etched using the Mo or MoW layer as a mask, using an etch gas system that employs a gas such as hydrogen halide and at least one gas selected from CF.sub.4, CHF.sub.3, CHClF.sub.2, CH.sub.3 F, and C.sub.2 F.sub.6, yields good TFT characteristics, and H.sub.2 plasma treatment can further improve the TFT characteristics.

Il Mo o falcia lo strato della composizione ha una resistività bassa più meno di mu..OMEGA.cm di 15 ed è inciso per avere un angolo regolare del cono usando una lega di Al per incantare o un Cr incanta ed il Mo o falcia lo strato è usato per i collegamenti di un'esposizione o di un'esposizione a semiconduttore con uno strato di Al o uno strato del Cr. Dal Mo o falcii lo strato può essere depositato in modo da dare lo sforzo basso al substrato registrando la pressione di deposito, un singolo falcia lo strato può essere usato come collegamenti da sè. Quando i fori del contatto sono formati nello strato di passività o nello strato isolante del cancello, incissione all'acquaforte laterale è ridotta usando lo strato del polimero, un sistema del gas incissione all'acquaforte che usando CF.sub.4 +O.sub.2 può impedire incissione all'acquaforte del Mo o falciare lo strato della lega e un gas incissione all'acquaforte di SF.sub.6 +HCl (+He) o SF.sub.6 +Cl.sub.2 (+He) può formare il profilo del bordo dei fori del contatto da lisciare. Inoltre, quando uno strato amorfo del silicone formato sotto il Mo o falcia lo strato è inciso usando il Mo o falcia lo strato come mascherina, usando un sistema del gas incissione all'acquaforte che impiega un gas quale l'alogenuro dell'idrogeno ed almeno un gas scelto da CF.sub.4, CHF.sub.3, CHClF.sub.2, CH.sub.3 F e C.sub.2 F.sub.6, caratteristiche dei rendimenti buone TFT e trattamento del plasma H.sub.2 può più ulteriormente migliorare le caratteristiche di TFT.