The present invention relates to photoresist monomers, polymers formed therefrom and photoresist compositions suitable for photolithography processes employing a DUV light source, such as KrF(249 nm) and ArF(193 nm); EUV; VUV; E-beam; ion-beam; and X-ray. Photoresist monomers of the present invention are represented by the following Chemical Formula 1: ##STR1## wherein, m is 1 or 2. Polymers of the present invention comprise repeating units derived from the comonomer of Chemical Formula 1, preferably together with monomers of the following Chemical Formula 2: ##STR2## wherein, R* is an acid-labile group, and W is 1 or 2.

De onderhavige uitvinding heeft op photoresist daarvan gevormde monomeren, polymeren en photoresist samenstellingen geschikt voor fotolithografieprocessen aanwendend betrekking een lichtbron DUV, zoals KrF(249 NM) en ArF(193 NM); EUV; Vuv; E-straal; ionenstraal; en Röntgenstraal. Photoresist de monomeren van de onderhavige uitvinding worden vertegenwoordigd door volgende Chemische Formule 1: ## STR1 ## waarin, m 1 is of 2. Polymeren van de onderhavige uitvinding uit het herhalen van eenheden bestaan die uit comonomer van Chemische Formule 1 worden afgeleid, bij voorkeur samen met monomeren van volgende Chemische Formule 2: ## STR2 ## waarin, R * een zuur-labiele groep is, en W 1 of 2 is.