A layered bismuth ferroelectric structure (12) and a method for forming the bismuth layered ferroelectric structure (12). A monolayer (12A) of bismuth is formed in intimate contact with a single crystalline semiconductor material (11). A layered ferroelectric material (12) is grown on the monolayer (12A) of bismuth such that the monolayer (12A) of bismuth becomes a part of the layered ferroelectric material (12). The ferroelectric material (12) forms a layered ferroelectric material which is not a pure perovskite, wherein the crystalline structure at the interface between the single crystalline semiconductor material (11) and the monolayer (12A) of bismuth are substantially the same.

Наслоенная структура висмута ferroelectric (12) и метод для формировать висмут наслоили ferroelectric структуру (12). Монослой (12ЈA) висмута сформирован в плотном контакте с одиночным кристаллическим материалом полупроводника (11). Наслоенный ferroelectric материал (12) растется на монослое (12ЈA) висмута такие что монослой (12ЈA) висмута будет частью наслоенного ferroelectric материала (12). Ferroelectric материал (12) формирует наслоенным ferroelectric материалом не будет чисто перовскит, при котором кристаллическая структура на поверхности стыка между одиночным кристаллическим материалом полупроводника (11) и монослоем (12ЈA) висмута существенн этим же.