A monolithically integrated heterojunction bipolar transistor optoelectronic transimpedance amplifier using the first transistor as an optical detector. An edge illuminated epilayer waveguide phototransistor is used as the light-detecting element. The phototransistor is used as an optical detector in which the incident light pulses are converted to electrical pulses and then amplified for further signal processing. The phototransistor is monolithically integrated on the same material substrate as the emitter follower amplifier so that the parasitics normally associated with receiver circuitry are minimized. By eliminating the parasitic impedances, the circuit can be used as a receiver in high bit rate optical communication systems.

Un amplificateur optoélectronique monolithiquement intégré de transimpedance de transistor bipolaire d'hétérojonction à l'aide du premier transistor comme détecteur optique. Un phototransistor de guide d'ondes d'épicouche lumineux par bord est employé comme élément lumière-détectant. Le phototransistor est employé comme détecteur optique dans lequel les pulsations lumineuses d'incident sont converties en impulsions électriques et puis amplifiées pour davantage de traitement des signaux. Le phototransistor est monolithiquement intégré sur le même substrat matériel que l'amplificateur de palpeur d'émetteur de sorte que le parasitics normalement lié aux circuits de récepteur soient réduits au minimum. En éliminant les impédances parasites, le circuit peut être utilisé comme récepteur dans les systèmes de communication optique élevés de débit binaire.