The present invention provides a method of plasma chamber etching of a semiconductor structure having a base layer, an etch stop layer, a dielectric material layer and a patterned photoresist layer. Among other things, the method may include etching selected portions of the dielectric material layer through the photoresist layer using a plasma etchant containing at least one of fluorine and sulfur in a compound such that portions of the photoresist layer may be contaminated with ions of the at least one of the fluorine and sulfur. The method may further include the steps of exhausting the etchant from the plasma chamber, introducing an oxygen containing gas into the plasma chamber, energizing the plasma reactor to create at least oxygen ions for bombarding the photoresist surface to remove at least a portion of the photoresist containing a majority of the contaminating one of the fluorine and sulfur ions whereby the fluorine and sulfur ions combine with other ions in the oxygen containing gas during at least exhaustion of the gas from the chamber, and removing the semiconductor structure containing a remaining portion of the photoresist from the plasma chamber.

De onderhavige uitvinding verstrekt een methode van plasmakamer ets van een halfgeleiderstructuur die een basislaag heeft, ets eindelaag, een diëlektrische materiële laag en een gevormde photoresist laag. Onder andere, kan de methode ets geselecteerde gedeelten van de diëlektrische materiële laag door de photoresist laag gebruikend een etchant plasma dat minstens één van fluor en zwavel bevat in een samenstelling omvatten dusdanig dat de gedeelten van de photoresist laag met ionen van minstens één van het fluor en de zwavel kunnen worden vervuild. De methode kan verder de stappen van uitputtend etchant van de plasmakamer omvatten, die een zuurstof introduceert die gas bevat in de plasmakamer, die de plasmareactor activeert om minstens zuurstofionen te creëren voor het bombarderen van de photoresist oppervlakte om minstens een gedeelte van photoresist te verwijderen die een meerderheid van vervuilende één van de fluor en zwavelionen bevat waardoor de fluor en zwavelionen met andere ionen in de zuurstof combineren die gas bevat tijdens minstens uitputting van het gas van de kamer, en de halfgeleiderstructuur verwijdert die een resterend gedeelte van photoresist bevat uit de plasmakamer.