A hybrid memory system having electromechanical memory cells is disclosed. A memory cell core circuit has an array of electromechanical memory cells, in which each cell is a crossbar junction at least one element of which is a nanotube or a nanotube ribbon. An access circuit provides array addresses to the memory cell core circuit to select at least one corresponding cell. The access circuit is constructed of semiconductor circuit elements.

Ein hybrides Gedächtnissystem, das elektromechanische Speicherzellen hat, wird freigegeben. Ein Speicherzelle Kernstromkreis hat eine Reihe elektromechanische Speicherzellen, in denen jede Zelle eine Querwelle Verzweigung mindestens ein Element ist, von dem ein nanotube oder ein nanotube Band ist. Ein Zugang Stromkreis stellt Reihe Adressen zum Speicherzelle Kernstromkreis zur Verfügung, um mindestens eine entsprechende Zelle vorzuwählen. Der Zugang Stromkreis wird aus Halbleiter-Schaltkreiselementen konstruiert.