A technique of fabricating a nonvolatile device includes forming a low doping region to aid in the reduction of substrate hot electrons. The nonvolatile device may be a floating gate device, such as a Flash, EEPROM, or EPROM memory cell. The low doping region has a lower doping concentration than that of the substrate. By reducing substrate hot electrons, this improves the reliability and longevity of the nonvolatile device.

Eine Technik des Fabrizierens einer permanenten Vorrichtung schließt die Formung einer niedrigen lackierenden Region ein, um in der Verkleinerung der heißen Elektronen des Substrates zu helfen. Die permanente Vorrichtung kann eine sich hin- und herbewegende Gattervorrichtung, wie ein Blitz, EEPROM oder EPROM sein Speicherzelle. Die niedrige lackierende Region hat eine niedrigere lackierende Konzentration als die des Substrates. Indem es heiße Elektronen des Substrates verringert, verbessert dieses die Zuverlässigkeit und die Langlebigkeit der permanenten Vorrichtung.