A sample is inspected. The sample is scanned in a first direction with at least one particle beam. The sample is scanned in a second direction with at least one particle beam. The second direction is at an angle to the first direction. The number of defects per an area of the sample are found as a result of the first scan, and the position of one or more of the found defects is determined from the second scan. In a specific embodiment, the sample includes a test structure having a plurality of test elements thereon. A first portion of the test elements is exposed to the beam during the first scan to identify test elements having defects, and a second portion of the test elements is exposed during the second scan to isolate and characterize the defect.

Se examina una muestra. La muestra se explora en una primera dirección con por lo menos una viga de la partícula. La muestra se explora en una segunda dirección con por lo menos una viga de la partícula. La segunda dirección está en ángulo a la primera dirección. El número de defectos por un área de la muestra se encuentra como resultado de la primera exploración, y la posición de uno o más de los defectos encontrados se determina de la segunda exploración. En una encarnación específica, la muestra incluye una estructura de la prueba que tiene una pluralidad de elementos de la prueba sobre eso. Una primera porción de los elementos de la prueba se expone a la viga durante la primera exploración para identificar los elementos de la prueba que tienen defectos, y una segunda porción de los elementos de la prueba se expone durante la segunda exploración al aislante y caracteriza el defecto.