A quantum semiconductor device includes intermediate layers of a first semiconductor crystal having a first lattice constant and stacked repeatedly, and a plurality of quantum dots of a second semiconductor crystal having a second lattice constant different from the first lattice constant. The quantum dots are dispersed in each of the intermediate layers and form a strained heteroepitaxial system with respect to the corresponding intermediate layer. Each of the quantum dots has a height substantially identical with a thickness of the corresponding intermediate layer.

Μια κβαντική συσκευή ημιαγωγών περιλαμβάνει τα ενδιάμεσα στρώματα ενός πρώτου κρυστάλλου ημιαγωγών που έχει μια πρώτη σταθερά δικτυωτού πλέγματος και που συσσωρεύει επανειλημμένα, και μια πολλαπλότητα των κβαντικών σημείων ενός δεύτερου κρυστάλλου ημιαγωγών που έχει μια δεύτερη σταθερά δικτυωτού πλέγματος διαφορετική από την πρώτη σταθερά δικτυωτού πλέγματος. Τα κβαντικά σημεία είναι διασκορπισμένα σε κάθε ένα από τα ενδιάμεσα στρώματα και διαμορφώνουν ένα τεντωμένο heteroepitaxial σύστημα όσον αφορά το αντίστοιχο ενδιάμεσο στρώμα. Κάθε ένα από τα κβαντικά σημεία έχει ένα ύψος ουσιαστικά ίδιο με ένα πάχος του αντίστοιχου ενδιάμεσου στρώματος.