An undoped GaAs layer is formed on a GaAs substrate. Thallium is adhered to the undoped GaAs layer to a thickness of at least one atomic layer. After adhesion of thallium, GaInNAs is epitaxially grown on the undoped GaAs layer by chemical vapor deposition.

Een undoped GaAs laag wordt gevormd op een GaAs substraat. Het thallium wordt aangehangen de undoped GaAs laag aan een dikte van minstens één atoomlaag. Na adhesie van thallium, wordt GaInNAs epitaxially gekweekt op de undoped GaAs laag door chemische dampdeposito.