A semiconductor memory device includes a plurality of N and P channel MOS transistors. The plurality of MOS transistors are formed on an SOI (Silicon On Insulator) substrate. Each MOS transistor includes a source region, a drain region, and a body region located between the source region and the drain region. The body region of at least one N channel MOS transistor is electrically fixed. The body region of at least one P channel MOS transistor is rendered floating.

Un dispositivo di memoria a semiconduttore include una pluralità transistori del MOS di scanalatura di P e di N. La pluralità di transistori del MOS è formata su un substrato di SOI (silicone sull'isolante). Ogni transistore del MOS include una regione di fonte, una regione dello scolo e una regione del corpo situata fra la regione di fonte e la regione dello scolo. La regione del corpo almeno di un transistore del MOS della scanalatura di N è riparata elettricamente. La regione del corpo almeno di un transistore del MOS della scanalatura di P è resa galleggiare.