In a profile extraction method, a long channel profile is first extracted through an initial profile generating stage and a long channel profile extraction stage. In a following two-dimensional profile extraction stage, a two-dimensional channel profile extraction stage and a source/drain profile extraction stage are repeated to extract an optimized two-dimensional channel profile and an optimized source/drain profile. In the two-dimensional channel profile extraction stage, a two-dimensional channel profile is extracted from the gate length dependency of the threshold voltage. In addition, in the source/drain profile extraction stage, a source/drain profile is extracted from the substrate bias voltage dependency of the threshold voltage--gate length characteristics.

Σε μια μέθοδο εξαγωγής σχεδιαγράμματος, ένα μακροχρόνιο σχεδιάγραμμα καναλιών εξάγεται αρχικά μέσω ενός αρχικού σχεδιαγράμματος που παράγει το στάδιο και ένα μακροχρόνιο στάδιο εξαγωγής σχεδιαγράμματος καναλιών. Στο α μετά από το δισδιάστατο στάδιο εξαγωγής σχεδιαγράμματος, ένα δισδιάστατο στάδιο εξαγωγής σχεδιαγράμματος καναλιών και μια πηγή/ένα στάδιο εξαγωγής σχεδιαγράμματος αγωγών επαναλαμβάνονται για να εξαγάγουν ένα βελτιστοποιημένο δισδιάστατο σχεδιάγραμμα καναλιών και ένα βελτιστοποιημένο σχεδιάγραμμα πηγής/αγωγών. Στο δισδιάστατο στάδιο εξαγωγής σχεδιαγράμματος καναλιών, ένα δισδιάστατο σχεδιάγραμμα καναλιών εξάγεται από την εξάρτηση μήκους πυλών της τάσης κατώτατων ορίων. Επιπλέον, στην πηγή/το στάδιο εξαγωγής σχεδιαγράμματος αγωγών, μια πηγή/ένα σχεδιάγραμμα αγωγών εξάγεται από την εξάρτηση προκατειλημμένης τάσης υποστρωμάτων της τάσης κατώτατων ορίων -- χαρακτηριστικά μήκους πυλών.