A chemical mechanical polish (CMP) planarizing method for forming a chemical mechanical polish (CMP) planarized layer within a microelectronic fabrication. There is first provided a substrate. There is then formed over the substrate a chemical mechanical polish (CMP) substrate layer having an aperture formed therein. There is then formed upon the chemical mechanical polish (CMP) substrate layer and completely filling the aperture within the chemical mechanical polish (CMP) substrate layer a blanket chemical mechanical polish (CMP) planarizable layer. There is then chemical mechanical polish (CMP) planarized, while employing a chemical mechanical polish (CMP) planarizing method, the blanket chemical mechanical polish (CMP) planarizable layer to form within the aperture from the blanket chemical mechanical polish (CMP) planarizable layer a patterned chemical mechanical polish (CMP) planarized layer. Within the method, the chemical mechanical polish (CMP) substrate layer has formed therein a pressure compensating layer which compensates for a chemical mechanical polish (CMP) pressure employed within the chemical mechanical polish (CMP) planarizing method such that the patterned chemical mechanical polish (CMP) planarized layer is formed with enhanced planarity.

(CMP) une méthode planarizing polonaise mécanique chimique pour former un poli mécanique chimique (CMP) planarized la couche dans une fabrication microélectronique. On fournit d'abord un substrat. On forme alors au-dessus du substrat que une couche polonaise mécanique chimique du substrat (CMP) ayant une ouverture a formé là-dedans. On forme alors sur la couche polonaise mécanique chimique du substrat (CMP) et en remplissant complètement ouverture dans le substrat (CMP) polonais mécanique chimique posez (CMP) une couche planarizable polonaise mécanique chimique couvrante. Il y a alors le poli mécanique chimique (CMP) planarized, tout en utilisant (CMP) une méthode planarizing polonaise mécanique chimique, (CMP) la couche planarizable polonaise mécanique chimique couvrante à la forme dans l'ouverture (CMP) de la couche planarizable polonaise mécanique chimique couvrante un poli mécanique chimique modelé (CMP) planarized la couche. Dans la méthode, la couche polonaise mécanique chimique du substrat (CMP) a formé là-dedans une couche compensatrice de pression qui compense une pression (CMP) polonaise mécanique chimique utilisée dans (CMP) la méthode planarizing polonaise mécanique chimique tels que le poli mécanique chimique modelé (CMP) planarized la couche est formé avec le planarity augmenté.