The present invention is a high quality semiconductor memory device using a ferroelectric thin film capacitor as a memory capacitor at a high manufacturing yield, the ferroelectric thin film of the capacitor is specified such that the relative standard deviation of a crystal grain sizes is 13% or less, to thereby ensure a high remanent polarization value and a small film fatigue (large rewritable number).

Η παρούσα εφεύρεση είναι μια υψηλής ποιότητας συσκευή μνήμης ημιαγωγών που χρησιμοποιεί έναν σιδηροηλεκτρικό πυκνωτή λεπτών ταινιών όπως ένας πυκνωτής μνήμης σε μια υψηλή παραγωγή κατασκευής, η σιδηροηλεκτρική λεπτή ταινία του πυκνωτή διευκρινίζεται έτσι ώστε η σχετική σταθερή απόκλιση των μεγεθών ενός κρυστάλλου σιταριού είναι 13% ή λιγότερος, για με αυτόν τον τρόπο να εξασφαλίσει μια υψηλή remanent αξία πόλωσης και μια μικρή κούραση ταινιών (μεγάλος επαναγράψιμος αριθμός).